IRLU3636PBF Infineon Technologies Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Paket: Tube
Produktstatus: Not For New Designs
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 143W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~175°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: I-PAK
Verpackung / Koffer: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basisproduktnummer: IRLU3636