RCJ510N25TL Rohm Semiconductor Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Rohm Semiconductor
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 250 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 51A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 25.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1.56W (Ta), 40W (Tc)
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: LPTS
Verpackung / Koffer: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basisproduktnummer: RCJ510