ISL9N2357D3ST Fairchild Semiconductor Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Fairchild Semiconductor
Serie: UltraFET®
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 20 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 100W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~175°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: TO-252-3 (DPAK)
Verpackung / Koffer: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63