AUIRFU4104 International Rectifier Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: International Rectifier
Serie: Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 40 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 42A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 140W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~175°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: PG-TO-251-3-21
Verpackung / Koffer: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA