SSM10N954L,EFF Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 12 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 13.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.11mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4 V
Vgs (Max): ±8V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 800mW (Ta)
Betriebstemperatur: 150°C
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: TCSPAC-153001
Verpackung / Koffer: 10-SMD, No Lead