TPH3206PD Transphorm Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Transphorm
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Not For New Designs
FET-Typ: N-Channel
Technologie: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 600 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 17A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±18V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 96W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~175°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220AB
Verpackung / Koffer: TO-220-3
Basisproduktnummer: TPH3206