PXN9R0-30QLJ Nexperia USA Inc. Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 11.4A (Ta), 41.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 11.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 20.7 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 15 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1.9W (Ta), 26W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: MLPAK33
Verpackung / Koffer: 8-PowerVDFN