PMPB33XP,115 Nexperia USA Inc. Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 5.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: DFN2020MD-6
Verpackung / Koffer: 6-UDFN Exposed Pad
Basisproduktnummer: PMPB33