RF4E100AJTCR Rohm Semiconductor Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Rohm Semiconductor
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 10A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 2W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: HUML2020L8
Verpackung / Koffer: 8-PowerUDFN
Basisproduktnummer: RF4E100