FQT2P25TF onsemi Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: onsemi
Serie: QFET®
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Last Time Buy
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 250 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 550mA (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 275mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 2.5W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: SOT-223-4
Verpackung / Koffer: TO-261-4, TO-261AA
Basisproduktnummer: FQT2P25