SI8416DB-T2-E1 Vishay Siliconix Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 8 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 16A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 4 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 6-Micro Foot??(1.5x1)
Verpackung / Koffer: 6-UFBGA
Basisproduktnummer: SI8416