IRLR110PBF Vishay Siliconix Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Vishay Siliconix
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 4.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Vgs (Max): ±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: D-Pak
Verpackung / Koffer: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Basisproduktnummer: IRLR110