TW070J120B,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 36A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.8V @ 20mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 20 V
Vgs (Max): ±25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 800 V
FET-Funktion: Standard
Verlustleistung (max.): 272W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~175°C
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-3P(N)
Verpackung / Koffer: TO-3P-3, SC-65-3
Basisproduktnummer: TW070J120