2N6661 Microchip Technology Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Microchip Technology
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 90 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 350mA (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 24 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 6.25W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-39
Verpackung / Koffer: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can