SUP70042E-GE3 Vishay Siliconix Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Vishay Siliconix
Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 150A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6490 pF @ 50 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 278W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~175°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220AB
Verpackung / Koffer: TO-220-3