TPW1R005PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: U-MOSIX-H
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 45 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 300A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 22.5 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Betriebstemperatur: 175°C
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 8-DSOP Advance
Verpackung / Koffer: 8-PowerWDFN
Basisproduktnummer: TPW1R005