LP0701N3-G Microchip Technology Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Microchip Technology
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 16.5 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 500mA (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 300mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Vgs (Max): ±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 15 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-92
Verpackung / Koffer: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Basisproduktnummer: LP0701N3