IRFD210PBF Vishay Siliconix Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Vishay Siliconix
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 200 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 600mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 360mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1W (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: 4-HVMDIP
Verpackung / Koffer: 4-DIP (0.300\ 7.62mm)
Basisproduktnummer: IRFD210