NTMTSC002N10MCTXG onsemi Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: onsemi
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 45A (Ta), 236A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 520µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6305 pF @ 50 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 9W (Ta), 255W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~175°C(TJ)
Montageart: Surface Mount, Wettable Flank
Gerätepaket des Lieferanten: 8-TDFNW (8.3x8.4)
Verpackung / Koffer: 8-PowerTDFN
Basisproduktnummer: NTMTSC002