FQB34N20LTM onsemi Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: onsemi
Serie: QFET®
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Last Time Buy
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 200 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 31A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 5 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 3.13W (Ta), 180W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: D²PAK (TO-263)
Verpackung / Koffer: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basisproduktnummer: FQB34N20