SSM3J353F,LF Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: U-MOSVI
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): +20V, -25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 159 pF @ 15 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 600mW (Ta)
Betriebstemperatur: 150°C
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: S-Mini
Verpackung / Koffer: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basisproduktnummer: SSM3J353