UF3C120080B7S UnitedSiC Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: UnitedSiC
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 28.8A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Vgs (Max): ±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 100 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 190W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~175°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: D2PAK-7
Verpackung / Koffer: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Basisproduktnummer: UF3C120080