SIA427ADJ-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 8 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Vgs (Max): ±5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 4 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 19W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PowerPAK® SC-70-6
Verpackung / Koffer: PowerPAK® SC-70-6
Basisproduktnummer: SIA427