EPC2035 EPC Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: EPC
Serie: eGaN®
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 1.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 800µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 30 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): -
Betriebstemperatur: -40°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: Die
Verpackung / Koffer: Die
Basisproduktnummer: EPC20