PMH550UNEH Nexperia USA Inc. Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 770mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 770mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 0.95V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4 V
Vgs (Max): ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 380mW (Ta), 2.8W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: DFN0606-3
Verpackung / Koffer: 3-XFDFN
Basisproduktnummer: PMH550