SI2312BDS-T1-E3 Vishay Siliconix Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 3.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±8V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 750mW (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: SOT-23-3 (TO-236)
Verpackung / Koffer: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basisproduktnummer: SI2312