SIS110DN-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET® Gen IV
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 5.2A (Ta), 14.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PowerPAK® 1212-8
Verpackung / Koffer: PowerPAK® 1212-8
Basisproduktnummer: SIS110