DMN65D8LFB-7B Diodes Incorporated Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Diodes Incorporated
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 260mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 430mW (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: X1-DFN1006-3
Verpackung / Koffer: 3-UFDFN
Basisproduktnummer: DMN65