SI1480DH-T1-BE3 Vishay Siliconix Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 2.1A (Ta), 2.6A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 50 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: SC-70-6
Verpackung / Koffer: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Basisproduktnummer: SI1480