2SK3984-ZK-E1-AY Renesas Electronics America Inc Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Renesas Electronics America Inc
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 18A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1W (Ta), 20W (Tc)
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: TO-252 (MP-3ZK)
Verpackung / Koffer: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63