SSM3J112TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 1.1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 86 pF @ 15 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 800mW (Ta)
Betriebstemperatur: 150°C
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: UFM
Verpackung / Koffer: 3-SMD, Flat Leads
Basisproduktnummer: SSM3J112