SI8489EDB-T2-E1 Vishay Siliconix Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 3.06A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 4-Microfoot
Verpackung / Koffer: 4-UFBGA
Basisproduktnummer: SI8489