TK12V60W,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: DTMOSIV
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 600 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 11.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
FET-Funktion: Super Junction
Verlustleistung (max.): 104W (Tc)
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 4-DFN-EP (8x8)
Verpackung / Koffer: 4-VSFN Exposed Pad
Basisproduktnummer: TK12V60