RM80N30DN Rectron USA Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Rectron USA
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3190 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 66W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~175°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 8-PPAK (3x3)
Verpackung / Koffer: 8-PowerWDFN