NTE2381 NTE Electronics, Inc Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 500 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 2.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 85W (Tc)
Betriebstemperatur: -65°C~150°C
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220
Verpackung / Koffer: TO-220-3