IXFX360N10T IXYS Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: IXYS
Serie: HiPerFET?? Trench
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 360A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 525 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 33000 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1250W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~175°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: PLUS247??3
Verpackung / Koffer: TO-247-3 Variant
Basisproduktnummer: IXFX360