DMT4011LSS-13 Diodes Incorporated Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Diodes Incorporated
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 40 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 10.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 829 pF @ 20 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1.31W (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 8-SOP
Verpackung / Koffer: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)
Basisproduktnummer: DMT4011