SISA72ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET® Gen IV
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 40 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 25.4A (Ta), 94A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 20 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PowerPAK® 1212-8
Verpackung / Koffer: PowerPAK® 1212-8
Basisproduktnummer: SISA72