NTBGS001N06C onsemi Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: onsemi
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 42A (Ta), 342A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 112A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 562µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11110 pF @ 30 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 3.7W (Ta), 245W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~175°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: D2PAK (TO-263)
Verpackung / Koffer: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)