TPN4R712MD,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: U-MOSVI
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 36A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Vgs (Max): ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 42W (Tc)
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Verpackung / Koffer: 8-PowerVDFN
Basisproduktnummer: TPN4R712