FCD900N60Z onsemi Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: onsemi
Serie: SuperFET® II
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 600 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 4.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 52W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: TO-252AA
Verpackung / Koffer: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Basisproduktnummer: FCD900