SCT3160KLHRC11 Rohm Semiconductor Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Rohm Semiconductor
Serie: Automotive, AEC-Q101
Paket: Tube
Produktstatus: Not For New Designs
FET-Typ: N-Channel
Technologie: SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 17A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 103W
Betriebstemperatur: 175°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-247N
Verpackung / Koffer: TO-247-3
Basisproduktnummer: SCT3160