SIA485DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Vishay Siliconix
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 150 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 1.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 75 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 15.6W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PowerPAK® SC-70-6
Verpackung / Koffer: PowerPAK® SC-70-6
Basisproduktnummer: SIA485