BUZ31H3046 Infineon Technologies Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: SIPMOS®
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 200 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 14.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 95W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: PG-TO262-3-1
Verpackung / Koffer: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA