SCT4062KRHRC15 Rohm Semiconductor Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Rohm Semiconductor
Serie: Automotive, AEC-Q101
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 26A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 12A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 6.45mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Vgs (Max): +21V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1498 pF @ 800 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 115W
Betriebstemperatur: 175°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-247-4L
Verpackung / Koffer: TO-247-4