APTM120U10SCAVG Microchip Technology Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Microchip Technology
Serie: POWER MOS 7®
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 116A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 20mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 1100 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 28900 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 3290W (Tc)
Betriebstemperatur: -40°C~150°C(TJ)
Montageart: Chassis Mount
Gerätepaket des Lieferanten: SP6
Verpackung / Koffer: SP6
Basisproduktnummer: APTM120