APT12057B2FLLG Microchip Technology Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Microchip Technology
Serie: POWER MOS 7®
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 22A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5155 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 690W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: T-MAX??[B2]
Verpackung / Koffer: TO-247-3 Variant
Basisproduktnummer: APT12057