DF200R12KE3HOSA1 Infineon Technologies Transistoren - IGBTs - Module

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
IGBT-Typ: -
Konfiguration: Single
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200 V
Leistung – Max.: 1040 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5 mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
Eingang: Standard
NTC-Thermistor: No
Betriebstemperatur: -40°C~125°C
Montageart: Chassis Mount
Verpackung / Koffer: Module
Gerätepaket des Lieferanten: Module
Basisproduktnummer: DF200R12