VS-40MT120PHAPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division Transistoren - IGBTs - Module

Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
IGBT-Typ: Trench Field Stop
Konfiguration: Half Bridge
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75 A
Leistung – Max.: 305 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 40A
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50 µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.2 nF @ 25 V
Eingang: Standard
NTC-Thermistor: No
Betriebstemperatur: -40°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: 12-MTP Module
Gerätepaket des Lieferanten: 12-MTP