VS-GT80DA120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division Transistoren - IGBTs - Module

Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie: HEXFRED®
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
IGBT-Typ: Trench
Konfiguration: Single
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 139 A
Leistung – Max.: 658 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 80A
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100 µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.4 nF @ 25 V
Eingang: Standard
NTC-Thermistor: No
Betriebstemperatur: -40°C~150°C(TJ)
Montageart: Chassis Mount
Verpackung / Koffer: SOT-227-4, miniBLOC
Gerätepaket des Lieferanten: SOT-227
Basisproduktnummer: GT80